特許
J-GLOBAL ID:200903083898044791
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-345014
公開番号(公開出願番号):特開2007-305960
出願日: 2006年12月21日
公開日(公表日): 2007年11月22日
要約:
【課題】信頼性の高い貫通電極を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔を有する半導体基板1と、半導体基板1の第一面において貫通孔を覆うように設けられる電極パッド3と、半導体基板1の第二面に設けられる外部接続用端子7と、貫通孔を通り、電極パッド3と外部接続用端子7とを導通するための導電配線6と、半導体基板1の第一面上に設けられる第一絶縁膜2と、導電配線6と半導体基板1とを絶縁するために、半導体基板1の第二面上および貫通孔内部の表面上に設けられる第二絶縁膜5と、を備え、導電配線6は、半導体基板1の第一面に対して垂直な方向からみて、貫通孔の底面に少なくとも一部が重なるように設けられる第一絶縁膜2および第二絶縁膜5の少なくとも一方に形成される接続用開口を介して電極パッド3と接続される半導体装置において、接続用開口は、貫通孔の底面の外周にかからないように形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
両面を貫通して形成される貫通孔を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第一面において貫通孔を覆うように設けられる電極パッドと、
前記半導体基板の第二面に設けられる外部接続用端子と、
前記貫通孔を通り、電極パッドと外部接続用端子とを導通するための導電配線と、
前記電極パッドと前記半導体基板とを絶縁するために、半導体基板の第一面上に設けられる第一絶縁膜と、
前記導電配線と前記半導体基板とを絶縁するために、半導体基板の第二面上および貫通孔内部の表面上に設けられる第二絶縁膜と、を備え、
前記導電配線は、前記半導体基板の第一面に対して垂直な方向からみて、前記貫通孔の底面に少なくとも一部が重なるように設けられる第一絶縁膜および第二絶縁膜の少なくとも一方に形成される接続用開口を介して電極パッドと接続される半導体装置において、
前記接続用開口は、貫通孔の底面の外周にかからないように形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 23/12
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60
FI (7件):
H01L21/88 T
, H01L21/88 J
, H01L23/12 501P
, H01L25/08 Z
, H01L21/92 602J
, H01L21/92 602K
, H01L21/92 604S
Fターム (26件):
5F033HH11
, 5F033JJ11
, 5F033MM13
, 5F033MM30
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP33
, 5F033QQ07
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ16
, 5F033QQ74
, 5F033QQ85
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR13
, 5F033RR14
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033SS15
, 5F033TT01
, 5F033TT07
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-111571
出願人:三洋電機株式会社
審査官引用 (2件)
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