特許
J-GLOBAL ID：200903083904432979
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162742
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008262
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 素子領域のpn接合部分から離れた位置のフィールド酸化膜の直下領域にゲッタリングサイトを設ける。【構成】 シリコン窒化膜3の側面にシリコン酸化膜4のサイドウォール膜5を形成した後、シリコン窒化膜3及びサイドウォール膜5をマスクとしてシリコン基板1内に炭素をイオン注入してシリコン基板1内にゲッタリングサイト6となる結晶欠陥を形成する。その後、サイドウォール膜5を除去してから、シリコン窒化膜3を耐酸化膜としてシリコン基板1を選択的に熱酸化してフィールド酸化膜7を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に耐酸化膜をパターン形成する工程と、しかる後、上記半導体基板全面に酸化膜を形成する工程と、上記酸化膜を異方性エッチングし、上記耐酸化膜の側壁にサイドウォール酸化膜を形成する工程と、上記耐酸化膜及び上記サイドウォール酸化膜をマスクとして上記半導体基板内にゲッタリングサイトとなる結晶欠陥を形成する工程と、しかる後、上記耐酸化膜を酸化マスクとして上記半導体基板を熱酸化し、素子分離膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/76
, H01L 21/316
H01L 21/76 M
, H01L 21/94 A
