特許

J-GLOBAL ID：200903083905029159

強誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： 阿部 能之
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 菅 直人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145596
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235932
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 例えば焦電センサー等に用いる強誘電体薄膜素子、特に膜厚が1.5μm以上の強誘電体薄膜を有する素子の製造方法に係り、所定の化学量論組成を有する結晶性のよい、しかも膜質の良好な強誘電体薄膜素子を、工業的にも容易に製造できるようにする。【構成】 基板上に膜厚が1.5μm以上の強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子を製造するにあたり、上記基板上に強誘電体薄膜を構成する膜厚が0.1μm以上で0.3μm以下の薄膜をスパッタリング法で形成する第1工程と、その基板上に形成された薄膜をチャンバー内で加熱処理する第2工程とを交互に複数回繰り返して基板上に所定厚さの強誘電体薄膜を形成すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に膜厚が1.5μm以上の強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子を製造するにあたり、上記基板上に強誘電体薄膜を構成する膜厚が0.1μm以上で0.3μm以下の薄膜をスパッタリング法で形成する第1工程と、その基板上に形成された薄膜をチャンバー内で加熱処理する第2工程とを交互に複数回繰り返して上記基板上に所定厚さの強誘電体薄膜を形成すことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01B 3/00 ,  C01B 13/14 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  G01J 5/12

FI (6件)：

H01B 3/00 G ,  C01B 13/14 Z ,  C23C 14/08 M ,  C23C 14/34 R ,  C23C 14/58 A ,  G01J 5/12