特許

J-GLOBAL ID：200903083906060823

微小レーザー

発明者： チ - チェン チョ ,  ウオルター エム.ダンカン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229206
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007200
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 シリコンをベース材料として、高性能の発光デバイスを作製する。【構成】 希土類元素をドープされたCaF2 薄膜で作られたシリコンベースの微小共振器は、半導体基板材料(240)と半導体基板材料(240)の上に成長させたCaF2 膜層(234)とを含む。このCaF2 膜層(234)は、CaF2 膜層(234)が光学的または電気的にポンピングされた時に、CaF2膜層(234)から狭い線幅を有するスペクトル放出を引き起こさせるのに十分な量の希土類元素ドーパントの予め定められた量をドープされている。

請求項（抜粋）：

ドープされた薄膜材料で作られた、シリコンをベースとする微小レーザーであって:シリコンを含む半導体基板材料、前記半導体基板材料の上に成長された少なくとも1つの膜層であって、前記膜層がポンピングされることによってスペクトルの放出を引き起こすのに十分な予め定められた量のドーパントを含む1つの膜層、を含み、前記膜層が前記放出スペクトルの波長の大きさのオーダー以内の厚さを有しており、前記放出スペクトルが狭い線幅を有し、一般的に前記膜層の結晶形態に敏感でない、微小レーザー。

IPC (5件)：

H01S 3/07 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/085 ,  H01S 3/16 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-042880