特許
J-GLOBAL ID：200903083906416598
半導体装置およびボンディング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229549
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077278
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 微細化されたデバイス、およびその製造方法を提供する。【構成】 デバイスのダイシングライン9近傍にイオン注入、拡散処理などにより導電部3を作成しておき、通常の方法でウェーハを処理し、プローブテストした後、ダイシングによりパッド1を除去し、あらかじめ作成しておいた導電部3と断面に露出したパッド1を合わせた領域と、インナーリードとをボンディングすることによりデバイスの微細化を実現する。
請求項（抜粋）：
インナーリードをデバイス側面の導電部にボンディングしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/78
, H01L 23/50
