特許
J-GLOBAL ID：200903083912963185
基板表面からの金属含有汚染物の除去剤と洗浄法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086361
公開番号（公開出願番号）：特開平6-101076
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1994年04月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置製造に用いられる種類の基板の表面からの金属含有汚染物除去で残渣を残さない洗浄法を提供する。【構成】 本方法は、金属汚染物を、基板の表面に揮発性金属配位子錯体を形成させるだけの十分な温度で酸化できる雰囲気で分散させたβ-ジケトン又はβ-ケトイミンからなる洗浄剤の有効量に基板を接触させることからなる。揮発性金属配位子錯体を基板の表面から昇華させると、残渣をなんら残さない。
請求項（抜粋）：
金属含有汚染物を基板の表面から除去する洗浄剤で、前記基板が、下記化学式1で示されるβ-ジケトン又はβ-ケトイミン配位子からなる洗浄剤との反応の順応性のないことと、前記配位子を前記基板の表面に付着している金属含有汚染物酸化に順応できる雰囲気で分散させることを特徴とする洗浄剤:【化1】[式中、R1とR3は、直鎖状又は分枝状非フッソ化、部分的フッソ化もしくは完全フッソ化を問わず、1乃至約8の炭素原子を有するアルキル、アルケニル又はアリール基から独立して選ばれ;R2は、水素原子、フッソ原子もしくは直鎖状又は分枝状非フッソ化、部分的フッソ化、あるいは完全フッソ化を問わず、1乃至約8の炭素原子を有するアルキル又はアルケニル基であり、Yは酸素原子;N-R4から選ばれる[式中、R4は非フッソ化、部分的フッソ化もしくは、完全フッソ化を問わず、1乃至約10の炭素原子を有するアルキル、アリール、アラルキルもしくはヒドロキシアルキル基から選ばれるか、又はYは、化学式2で示され、【化2】(式中、R5、R6とR7は、水素原子、フッソ原子もしくは直鎖状又は分枝状非フッソ化、部分的フッソ化もしくは完全フッソ化を問わず、1乃至約8の炭素原子を有するアルキル又はアルケニル基より選ばれ;R8は、直鎖状又は分枝状非フッソ化、部分的フッソ化又は完全フッソ化を問わず、1乃至約8の炭素原子を有するアルキルもしくはアルケニル基より独立して選ばれ;R8は、直鎖状又は分枝状非フッソ化、部分的フッソ化もしくは完全フッソ化を問わず、1乃至約8の炭素原子を有するアルキレン、アルケニレン、フェニレン、アルキルフェニレン又はヒドロキシアルキレン基である)]。
引用特許：
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