特許

J-GLOBAL ID：200903083913505580

半導体レーザ素子

発明者： 川中 敏 ,  田中 俊明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-170016
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030188
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】光損傷レベルが高く、閾値電流が十分に低い高温高出力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。【構成】活性層の両側に活性層よりもバンドギャップが小さいクラッド層を設けたダブルヘテロ構造において、少なくとも一方のクラッド層を多層構造とし、活性層に隣接して設けた第一クラッド層の屈折率を他のクラッド層よりも小さくした。【効果】100°C以上の温度においても100mW以上の光出力が得られる高温高出力動作特性に優れた半導体レーザ素子を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けたAlGaInP活性層もしくはAlGaInP多重量子井戸構造からなる活性領域および、その両側に設けたAlGaInPクラッド層を含むダブルヘテロ構造において、少なくとも一方のクラッド層を多層構造として活性領域に隣接する第一クラッド層のバンドギャップを大きくし、活性領域から離れた第二クラッド層のバンドギャップを小さくすると共に屈折率を活性層と前記第一クラッド層の中間の値としたことを特徴とする半導体レーザ素子。