特許

J-GLOBAL ID：200903083915310123

半導体装置の検査方法

発明者： 中田 義朗 ,  沖 伸一 ,  長尾 浩一 ,  畑田 賢造 ,  森 薫興 ,  佐藤 尚 ,  佐野 國夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121211
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115971
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 プローブ端子1個当たりに加えられる荷重が小さくても、コンタクタのプローブ端子と半導体チップの検査用電極とが電気的に確実に接続されるようにする。【解決手段】 半導体ウェハ上に形成された半導体チップ10の検査用電極11の表面に酸化され難い金属よりなるメッキ層13を形成する。メッキ層13が形成された検査用電極11にコンタクタ14のバンプ15を半導体チップ10に対して垂直な方向から接触させる。その後、コンタクタ14のバンプ15に電圧を印加して半導体チップ10に対して一括してバーンイン等の検査を行なう。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に形成された半導体チップの主面上に検査用電極を形成する第1の工程と、前記半導体チップの検査用電極の表面に酸化され難い金属よりなるメッキ層を形成する第2の工程と、コンタクタのプローブ端子を前記メッキ層が形成された前記検査用電極に、前記プローブ端子が前記半導体チップの主面に平行な方向へ移動しない状態で接触させる第3の工程と、前記プローブ端子が前記検査用電極に接触した状態で、前記プローブ端子に電圧を印加して前記半導体チップに対して検査を行なう第4の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01R 1/06 ,  G01R 1/073 ,  G01R 31/26

FI (5件)：

H01L 21/66 E ,  H01L 21/66 B ,  G01R 1/06 B ,  G01R 1/073 F ,  G01R 31/26 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プローブ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-212215   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 特開平4-186743