特許
J-GLOBAL ID：200903083915628026
縦型ゲート半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-346460
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116649
出願日： 2003年10月06日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 レジストパターンを用いること無くソース領域およびボディーコンタクト領域を形成し、ソース領域のコンタクト抵抗を増大させることなく、小型化をおこなうことができる縦型ゲート半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板100と、ドレイン領域111とウエル領域112とからなる半導体層110と、縦型ゲート電極120と、絶縁膜130と、絶縁物質140と、トレンチ溝側面で前記ソース領域113と接し、トレンチ溝側面および半導体層110表面で前記ボディーコンタクト領域114と接するアルミ膜150と、バリアメタル160とを備え、ウエル領域112が、ウエル領域112上方のトレンチ溝側壁の半導体層110表面と接しない領域に形成された第1導電型のソース領域113と、ウエル領域112上方の半導体層110表面に形成された第2導電型のボディーコンタクト領域114とを有する縦型ゲート半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
トレンチ溝を有し、半導体基板上に形成された半導体層と、前記トレンチ溝内壁に形成されたゲート酸化膜と、前記トレンチ溝内部に埋め込まれたゲート電極とを備える縦型ゲート半導体装置であって、
前記半導体層は、第1導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域上方に形成された前記第1導電型と反対の第2導電型のウエル領域とからなり、
前記トレンチ溝は、前記ウエル領域を貫通し、
前記ウエル領域は、前記ゲート電極とオーバーラップを有し、前記トレンチ溝側壁の前記半導体層表面と接しない領域に形成された前記第1導電型のソース領域と、前記ソース領域と接し、前記半導体層表面に形成された第2導電型のボディーコンタクト領域とを有する
ことを特徴とする縦型ゲート半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/78
, H01L21/265
, H01L21/336
H01L29/78 652B
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 653C
, H01L21/265 F
, H01L29/78 658B
