特許
J-GLOBAL ID：200903083918557120
ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-208961
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045583
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 高度の平坦度を有するケミカルエッチドウエーハが得られるエッチング方法および装置を、簡単な構成で提供する。【構成】 エッチング装置はエッチング槽1と、ウエーハWの吸着・回転装置61により構成する。エッチング槽では、中心部に円錐状または半球状の突起12と外周部に開口部13を設けたトッププレート11と、中心部にラッパ状部22を有するボトムプレート21とを、適宜間隔をあけて上下に平行かつ水平方向に、同軸上に対向させる。吸着・回転装置は、開口部13の直上から降下させてその下端部を該開口部に当接させることにより、ウエーハをエッチング槽の薬液流路24に臨ませることができるようにする。エッチングに際してはボトムプレートから薬液Eを供給する。面放射状に広がる薬液の液流内でウエーハを自転させつつ、その主表面を該液流と平行にしてエッチングすることができる。
請求項（抜粋）：
面放射状に広がるエッチング用薬液の液流内で半導体単結晶ウエーハを、その主表面を前記薬液の液流と平行にして自転させることを特徴とするウエーハの高平坦度エッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/306 A
, H01L 21/306 J
