特許
J-GLOBAL ID：200903083921321803
バンプ付半導体素子の実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-052671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258028
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 バンプ付半導体素子を薄膜回路基板に搭載して加熱する事による実装方法において、薄膜回路基板自体の初期変形及びバンプを融解時の加熱による薄膜回路基板の変形する事なくバンプ付半導体素子の実装が出来る方法を提供する事。【解決手段】 薄膜回路基板に搭載するバンプ付半導体素子のバンプより外周部をフリップチップ実装装置の固定部に吸着固定しながら又は吸着固定する事で、薄膜回路基板の初期変形及び加熱による変形が抑えられる事で、バンプ付半導体素子の薄膜回路基板への実装が可能となる。
請求項（抜粋）：
バンプを設けた半導体素子を薄膜回路基板に搭載して加熱する事により実装するバンプ付半導体素子の実装方法において、薄膜回路基板に搭載するバンプ付半導体素子のバンプより外周部をフリップチップ実装装置の固定部にて吸着固定をしながら加熱する事を特徴とするバンプ付半導体素子の実装方法。
Fターム (2件)：
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