半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法並びに半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354918
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186378
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】アイソレーショントレンチの素子分離特性を向上させる。【解決手段】アイソレーショントレンチ(STI2)で分離される素子が、半導体基板1において矢印30,31で示されている活性半導体領域上に形成される。STI2には、SiOFが充填される。

請求項（抜粋）：

所定の主面を有する半導体基板と、前記所定の主面に設けられる複数の素子と、前記所定の主面に設けられ、前記複数の素子の間を分離するためのアイソレーショントレンチとを備え、前記アイソレーショントレンチがフッ化物で充填されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 27/10 681 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

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