特許

J-GLOBAL ID：200903083929569871

ゲート構造体及び方法

発明者： モナ エム、エイッサ ,  アントニオ エル、ピー、ロトンダロ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-196239
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072094
出願日： 2003年07月14日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】高k誘電体を用いた珪素集積回路の大量生産で、効果的エッチングのような問題になる点を解決する。【解決手段】(a) 珪酸塩ゲート誘電体層で、その上にゲートを有する誘電体層を与え、(b) 前記層の露出した部分を、HF、H2O2、及びHNO3を含有する溶液でエッチングする、ことを行う製造方法。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

(a) 珪酸塩ゲート誘電体層で、その上にゲートを有する誘電体層を与え、 (b) 前記層の露出した部分を、HF、H2O2、及びHNO3を含有する溶液でエッチングする、 ことを行う製造方法。

IPC (6件)：

H01L29/78 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

FI (4件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/308 E ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 102C

Fターム (73件)：

5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC05 ,  5F048BA10 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048BH07 ,  5F048CA14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA02 ,  5F140AA25 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AB07 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE05 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE14 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF34 ,  5F140BG01 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CB02 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE14