特許
J-GLOBAL ID：200903083937249657
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110654
公開番号（公開出願番号）：特開平11-305437
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 下地へのダメージを抑えてレジストのみを効率よく除去することの可能なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を、レジスト膜中の溶解抑止基又は溶解抑止剤を分解する温度以上の温度に加熱する工程と、前記レジスト膜を、レジストを溶解する溶液に浸漬して、前記レジスト膜を除去する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を、レジスト膜中の溶解抑止基又は溶解抑止剤を分解する温度以上の温度に加熱する工程と、前記レジスト膜を、レジストを溶解する溶液に浸漬して、前記レジスト膜を除去する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/075 521
, G03F 7/11 503
, G03F 7/30
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/075 521
, G03F 7/11 503
, G03F 7/30
, H01L 21/30 571
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/30 574
