半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022173
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219557
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】活性層にInGaAs歪み量子井戸を用い、CODを抑制した高出力の素子を提供する。【解決手段】 GaAs基板1上に、AlGaAsクラッド層3、InGaAs歪量子井戸層を有する活性層6およびAlGaAsクラッド層9を順次積層してなる半導体レーザ素子において、前記活性層6に隣接してGaAsP障壁層5、7を設ける。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、AlGaAsクラッド層、InGaAs歪量子井戸層を有する活性層およびAlGaAsクラッド層を順次積層してなる半導体レーザ素子において、前記歪量子井戸活性層に隣接してGaAsP障壁層を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-361312 出願人：アンリツ株式会社

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