特許
J-GLOBAL ID：200903083942694545
半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-205919
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045908
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 室温をはじめとする高温で連続発振可能なII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザーを実現する。【構成】 しきい値電流Ith(A)、n型クラッド層、活性層およびp型クラッド層から成るダイオードの立ち上がり電圧Vth(V)、ダイオードの立ち上がり後の微分抵抗Rs (Ω)、熱抵抗Rt (K/W)、特性温度T0 (K)の特性でパルス発振するII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザーにおいて、α≡(Rt /T0 )IthVth、β≡(Rt /T0 )Rs Ith2 で二つの量α、βを定義したときの(α、β)が、αβ平面上における、直線α=0、直線β=0およびtをパラメータとする曲線((2lnt-1)/t、(1-lnt)/t2 )により囲まれた領域内に存在するように設計製造を行う。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第1のクラッド層、上記活性層および上記第2のクラッド層はII-VI族化合物半導体から成り、しきい値電流Ith(A)、上記第1のクラッド層、上記活性層および上記第2のクラッド層により構成されるダイオードの立ち上がり電圧Vth(V)、上記ダイオードの立ち上がり後の微分抵抗Rs (Ω)、熱抵抗Rt (K/W)、特性温度T0 (K)の特性でパルス発振する半導体レーザーにおいて、α≡(Rt /T0 )IthVthβ≡(Rt /T0 )Rs Ith2で二つの量α、βを定義したとき、(α、β)が、αβ平面上における、直線α=0、直線β=0およびtをパラメータとする曲線((2lnt-1)/t、(1-lnt)/t2 )により囲まれた領域内に存在することを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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