特許
J-GLOBAL ID：200903083944491390
横型MOS電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127343
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326944
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 逆方向安全動作領域の向上を図ることができる高耐圧の横型MOS電界効果トランジスタを提供する。【構成】 ソ-ス領域8にシリコン基板1に通じる溝部22を形成し、ソ-ス領域8上に層間絶縁膜11を介して形成されるソ-ス電極10とソ-ス領域8およびシリコン基板1とをこの溝部22によって電気的に接続してソース領域が短くなるようにし、ソース領域8の下部を直接ソース電極10と接続してソース領域8下部の抵抗成分を低減するようにする。
請求項（抜粋）：
ソ-ス領域にシリコン基板に通じる溝部を形成し、前記ソ-ス領域上に形成されるソ-ス電極と前記ソ-ス領域および前記シリコン基板とを前記溝部を介して電気的に接続したことを特徴とする横型MOS電界効果トランジスタ。
引用特許：
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