特許
J-GLOBAL ID:200903083947706037

酸化物超電導体とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邉 一平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-267408
公開番号(公開出願番号):特開平6-114812
出願日: 1992年10月06日
公開日(公表日): 1994年04月26日
要約:
【要約】【構成】 基板と該基板上に形成された酸化物超電導層からなる酸化物超電導体、あるいは耐酸化性金属基板と該耐酸化性金属基板上に中間層を介して形成された酸化物超電導層とからなる酸化物超電導体であって、酸化物超電導層と接する基板あるいは中間層の面粗度が、平均表面粗さ(Ra)0.1〜0.7μmであることを特徴とする酸化物超電導体。【効果】 酸化物超電導層の溶融あるいは部分溶融温度での焼成時の液相流出が防げるので、十分な膜厚の酸化物超電導層を得ることができる。
請求項(抜粋):
基板と該基板上に形成された酸化物超電導層とからなる酸化物超電導体であって、酸化物超電導層と接する基板の面粗度が、平均表面粗さ(Ra)0.1〜0.7μmであることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (5件):
B28B 1/32 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 41/87 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

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