特許

J-GLOBAL ID：200903083948780923

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 山口 日出 ,  大和田 伸郎 ,  斉藤 達之 ,  大鋸谷 薫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175681
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027589
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 多層配線を有する半導体集積回路装置において、配線の高密度実装と配線の多層化を同時に実現できる技術を提供する。【構成】 6層配線を有するゲートアレイにおいて、第2層配線9から第5層配線12までを信号配線に用いており、第2層配線9および第4層配線11は、2.0μmの配線ピッチでY方向に延在し、かつ、配線ピッチの半分の距離である1.0μmずれて配置され、また、第3層配線10および第5層配線12は、2.0μmの配線ピッチでX方向に延在し、かつ、配線ピッチの半分の距離である1.0μmずれて配置されている。

請求項（抜粋）：

3層以上の配線によって構成される多層配線を有する半導体集積回路装置において、第2層配線および前記第2層配線よりも上層に形成される偶数番目の配線は、X方向またはY方向に延在し、また、第3層配線および前記第3層配線よりも上層に形成される奇数番目の配線は、前記第2層配線と交差するようにY方向またはX方向に延在しており、さらに、前記偶数番目の配線の配線ピッチが、前記第2層配線の配線ピッチと同じ、また、前記奇数番目の配線の配線ピッチが、前記第3層配線の配線ピッチと同じであることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 23/522 ,  H01L 27/118 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (7件)：

H01L 23/52 B ,  H01L 21/82 M ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-070554
  
• 特開昭58-070554