特許
J-GLOBAL ID:200903083951461081

半導体電極並びにそれを用いた光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-346804
公開番号(公開出願番号):特開2006-156212
出願日: 2004年11月30日
公開日(公表日): 2006年06月15日
要約:
【課題】光電変換特性に優れた光電変換素子を提供すること。【解決手段】表面に導電性を有する基板と、その導電性表面上に被覆された半導体層と、その半導体層の表面に分子集合体を形成する増感色素を少くとも一種以上吸着して成る半導体電極において、この増感色素が一般式(1)で示される化合物である半導体電極。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
表面に導電性を有する基板と、その導電性表面上に被覆された半導体層と、その半導体層の表面に分子集合体を形成する増感色素を少なくとも一種以上吸着して成る半導体電極において、該増感色素が一般式(1)で示される化合物であることを特徴とする半導体電極。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (13件):
5F051AA14 ,  5F051CB27 ,  5F051FA01 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA17 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20
引用特許:
出願人引用 (3件)

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