特許

J-GLOBAL ID：200903083954512043

低位相歪電力増幅器

発明者： 林 等 ,  中津川 征士 ,  村口 正弘
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219121
公開番号（公開出願番号）：特開平8-084026
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 特別な付加回路を用いずにFET増幅器の入力電力に対する位相変化が小さく、電力効率がよく、モノリシックIC化が容易で低コストな低位相歪電力増幅器を実現する。【構成】 増幅器として機能するソース接地FETと、ゲート接地FETまたはドレイン接地FETとを並列に接続して構成する。

請求項（抜粋）：

ソース接地FETを用いた増幅器と、ゲート接地FETを用いた増幅器とを並列に接続したことを特徴とする低位相歪電力増幅器。

IPC (2件)：

H03F 3/193 ,  H03F 3/24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-059805
  
• 特開昭60-157305
  
• 非線形歪補償回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-018058   出願人：日本電気株式会社