特許
J-GLOBAL ID：200903083955442952
ダイオード及び静電破壊保護装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343501
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169980
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ダイオードにおいて、従来に比して耐圧の高いダイオードを実現する。【構成】円形状に形成された第1の不純物拡散層と、これに対して同心円上に形成された第2の不純物拡散層とによつてダイオードを形成する。これにより第1の不純物拡散層に流入した電荷を第1の不純物拡散層の中心から第2の不純物拡散層に向けて放射状にかつ全方向均等に流すことができる。この結果、電荷の偏りをなくし得、耐圧を従来に比して一段と高めることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成されたほぼ円形状の第1の不純物拡散層と、上記第1の不純物拡散層の中心に対してほぼ同心円上に形成された上記第1の不純物拡散層とは逆極性の第2の不純物拡散層と、上記第1の不純物拡散層に第1の導電性部材を介して接続された電極層と、上記電極層に第2の導電性部材を介して接続された第1の配線層と、上記2の不純物拡散層に第3の導電性部材を介して接続された第2の配線層とを具えることを特徴とするダイオード。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/91 D
, H01L 27/06 311 B
, H01L 29/91 K
