半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：土井健二 , 林恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-076711
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288756
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】加工部側壁や底部の付着物を効率よく、確実に除去できる層間絶縁膜の穴部清掃方法および、簡便で、コスト低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜に穴部を形成し、穴部を含めて層間絶縁膜表面に、実質的に極性基を有しない樹脂よりなる膜を形成し、ついで樹脂膜を剥離して穴部から付着物を除去する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜に穴部を形成し、当該穴部を含めて当該層間絶縁膜表面に、実質的に極性基を有しない樹脂よりなる膜を形成し、ついで当該樹脂膜を剥離して当該穴部から付着物を除去する、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/768 , H01L21/304

FI (4件)：

H01L21/90 A , H01L21/304 641 , H01L21/304 645A , H01L21/90 V

Fターム (13件)：

5F033QQ00 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033RR01 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-070436 出願人：日本電気株式会社
特公昭45-019024
特開平4-267525

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