特許
J-GLOBAL ID：200903083974722958
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041289
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243668
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【構成】InP基板1上に形成されたInGaAs/InP歪量子井戸活性層2は、2×1018cm~3のBeがドーピングされた変調ドーピング構造となっており、また光導波路層3の上に回折格子4が刻まれて分布帰還構造の光共振器を形成しており、これらとInPクラッド層5、InGaAsコンタクト層6、金属電極層7で半導体レーザ装置を構成しており、微分利得のピーク波長である1.55μmで発振する。【効果】発振線幅が狭く、高速で変調が可能で、変調時での発振線幅の増加が少ない半導体レーザ装置が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、少なくとも一層の光活性層を有する半導体レーザ装置において、活性層ないし活性層に隣接する層にp型不純物が予め定められた濃度以上の濃度にドーピングされ、レーザ発振状態での活性層の正孔密度が電子密度に比べて十分高く、正孔のフェルミレベルでの正孔の結晶運動量が電子のフェルミレベルでの電子の結晶運動量よりも大きく、レーザ発振光の光子エネルギーと活性層の禁制帯幅の差が、電子のフェルミレベルにある電子の運動エネルギー(電子のフェルミエネルギー)にその電子と同一の結晶運動量をもつ正孔のエネルギーを加え動作温度での熱エネルギー(kT)を引いたものより大きくなるようになされていることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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