特許
J-GLOBAL ID：200903083975919240
集積回路製造において溝分離を行うための平坦化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164573
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206261
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 溝分離を使用する形式のもので、ウェハ表面の活性領域及び溝が色々な巾をとる場合にシリコンウェハの表面を平坦化する方法を提供する。【構成】 溝及び活性領域はシリコン酸化物の順応性被膜で覆われ、溝の側壁に酸化物の側壁スペーサ16を残すようにエッチングされ、次いで、第2の順応性酸化物被膜17が付着される。第1のホトレジスト層が表面に付着され、巾の広い溝においてのみホトレジストを残すようにパターン化される。第2のホトレジスト層が付着され、活性領域の順応性被膜までエッチバックされて、巾の狭い溝にある程度のレジストが残される。第3のホトレジスト層が付着され、これら3つのホトレジスト層及び酸化物が活性領域の上面レベルまで同時にエッチバックされ、巾の異なる溝及び活性領域の種々の領域内で高さのばらつきが最小であるような実質的に平らな表面が残される。
請求項（抜粋）：
集積回路製造において溝分離を行うために基体の表面或いは基体上に付着又は成長した材料の表面を平坦化する方法において、巾は異なるが深さはほぼ等しい溝を上記表面にエッチングし、上記溝の側壁、溝の平坦面及び溝と溝との間にコーティングを行って、上記表面に絶縁材料の順応性被膜を形成し、上記溝の側壁に側壁スペーサを残すように上記被膜をエッチングし、上記溝の側壁にあるスペーサ、溝の平坦面及び溝と溝との間にコーティングを行って、上記表面に上記絶縁材料の第2の順応性被膜を形成し、上記第2の順応被膜の上にホトレジストの第1層を付着し、溝の巾が他の巾狭の溝よりも広いことに基づいて選択した上記溝のうちの選択された溝においてのみ上記第1のホトレジスト層を残すようにこの第1ホトレジスト層をパターン化し、上記第1のホトレジスト層の残り部分をリフローして、上記側壁に隣接した上記ホトレジストの縁にあるギャップを充填し、上記第1のホトレジスト層及び上記順応性被膜の上に第2のホトレジスト層を付着し、上記第2のホトレジスト層を上記順応性被膜のレベルまでエッチングし、第3のホトレジスト層を付着し、上記ホトレジスト層及び上記順応性被膜を上記溝と溝との間の上記平坦領域の上面レベルまでエッチングして実質的に平坦な表面を残すようにしたことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
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