特許
J-GLOBAL ID:200903083978788180

半導体加速度センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-079678
公開番号(公開出願番号):特開平6-130083
出願日: 1992年04月01日
公開日(公表日): 1994年05月13日
要約:
【要約】【目的】重り部分とたわみ部分とを形成してなる半導体加速度センサは,従来半導体面と垂直な方向の加速度のみを感知するものであった。これを水平方向の加速度および回転加速度も感知できるようにする。【構成】半導体基板としてのシリコン基板50に,重り部分11とそれを支持するたわみ部分12とを形成し,たわみ部分12の表面両側に平行に,p型拡散抵抗13とn型拡散抵抗14とを形成する。これら2つの拡散抵抗を直列に接続し,両端を端子15と端子16に接続して端子間の抵抗値の変化を測定する。たとえば,このような加速度センサを2つ,互いに90°回転させて形成すると2軸の加速度が測定可能となり,180°回転させて形成し,それらの直列抵抗を測定すると回転加速度が測定可能となる。
請求項(抜粋):
半導体基板を加工してなる重り部分と,前記重り部分を支持し前記半導体基板に印加する加速度による前記重り部分の動きと連動するたわみ部分とを含み,前記たわみ部分に前記加速度を検知する拡散抵抗を形成した半導体加速度センサにおいて,前記たわみ部分の表面にp型拡散抵抗とn型拡散抵抗とを平行に形成し,かつ直列接続した両端間もしくは接続点と両端いずれかとの間で前記加速度による前記p型拡散抵抗と前記n型拡散抵抗との組合せにおける抵抗変化を検知するものとしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-232171
  • 特開昭62-118260
  • 特開平1-287470
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