特許
J-GLOBAL ID：200903083981836721
炭化ケイ素のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272983
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129622
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 エッチング処理中にマスクから炭化ケイ素上に材料をスパタリングさせない炭化ケイ素エッチング用のマスクと、丸い隅部を得られるエッチング剤とを有する、炭化ケイ素のエッチング方法を提供する。【解決手段】 マスク12が炭化ケイ素基板11上に塗布されて、基板11をエッチングする。マスク12に用いられる材料は、4より大きいモース硬度係数を有して、材料がマスク12から基板11上にスパタリングされることを防ぐ。エッチングを行うために、酸素と六フッ化イオウのプラズマが用いられる。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素をエッチングする方法であって:炭化ケイ素基板(11)を設ける段階;前記基板(11)上に4以上のモース硬度係数を有する材料の層(12)を塗布することによりマスク層(12)を形成する段階;前記マスク層(12)をパターニングして、前記基板(11)の下部領域(13)を露出する段階;および前記基板(11)の下部領域(13)をプラズマでエッチングする段階;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 J
, C23F 4/00 A
, H01L 21/302 B
