特許
J-GLOBAL ID：200903083986633594
新規な光透過性の自立β-SiCとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-239609
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1994年08月30日
要約：
【要約】【目的】 レンズ、太陽光コレクター、陰極カバー等の用途に好適なバルク又は薄いフィルムの形態の、改良された光透過性を有するβ-SiC及びその製造方法を提供する。更に固有抵抗の高いβ-SiCを提供する。【構成】 堆積チャンバーと該チャンバー内にSiCを堆積させる表面を有する化学蒸着系を提供し、熱分解して該表面上に炭化ケイ素が堆積する条件下の該反応チャンバー内にメチルトリクロロシランとH2 ガスを導入する光透過性の自立β-SiCの製造方法であって、該条件は約1400〜1500°Cの堆積チャンバー温度、約50トール以下の堆積チャンバー圧力、約4〜30のH2 /メチルトリクロロシランのモル比、約1ミクロン/分以下の堆積速度を含む。得られるβ-SiCは光透過性が高く、固有抵抗が高い。
請求項（抜粋）：
0.6328ミクロンにおいて約20cm-1以下の減衰定数を有する化学蒸着で堆積した自立β-SiC。
IPC (3件)：
C01B 31/36
, C04B 35/56 101
, C23C 16/32
