特許

J-GLOBAL ID：200903083986824756

半導体ウェーハのウェットエッチングを行う方法および装置

発明者： マーセリヌス、ジェイ.エイチ.ジェイ.ジュオミニ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-505053
公開番号（公開出願番号）：特表2003-502863
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】【課題】 溶剤中に活性成分を有する溶液を収容する浴槽内に連続するバッチのウェーハをウェット処理するときのプロセスの安定性を向上し、この溶液を収容する浴槽の寿命を長くする方法を提供する。【解決手段】 特に半導体装置、しかしこれに限定されることなく、電子装置を製造する方法であって、その表面2に除去すべき物質3が設けられたウェーハ1を連続するバッチに分けて、溶剤内に活性成分を有する溶液5を収容する浴槽4内でウェット処理にかける方法。上記ウェット処理中に、連続するバッチのウェーハ1を第1の時間間隔において溶液5に浸す。第1の時間間隔は、ウェーハ1の表面2から物質3を除去してこれによりイオン成分を形成する処理時間と、この処理時間の最後でウェーハ1を浴槽4から引き上げた後に続く待機時間とでそれぞれ構成される。連続するバッチのウェット処理中に溶液5の導電率を観測し、上記活性成分と上記溶剤の少なくとも一つを浴槽4内の溶液5に追加することによって、上記連続するバッチのウェット処理中の第2の時間間隔において、観測した導電率をほぼ所望の導電率にする方法において、上記連続するバッチのウェット処理中の第3の時間間隔において、この第3の時間間隔のうちで直近の終了した上記第3の時間間隔において除去された上記物質の量に基づいて上記第3の時間間隔のそれぞれにおいて決定される値で上記所望の導電率を変化させる。

請求項（抜粋）：

特に半導体装置、しかしこれに限定されることなく、電子装置を製造する方法であって、 その表面に除去すべき物質が設けられたウェーハを連続するバッチに分けて、溶剤内に活性成分を有する溶液を収容する浴槽内でウェット処理にかけ、 前記ウェット処理中に、前記連続するバッチのウェーハを第1の時間間隔において前記溶液に浸し、前記第1の時間間隔は、前記ウェーハの前記表面から前記物質を除去してこれによりイオン成分を形成する処理時間と、前記処理時間の最後で前記ウェーハを前記浴槽から引き上げた後に続く待機時間とでそれぞれ構成され、 前記連続するバッチのウェット処理中に前記溶液の導電率を観測し、前記活性成分と前記溶剤の少なくとも一つを前記浴槽内の前記溶液に追加することによって、前記連続するバッチのウェット処理中の第2の時間間隔において、前記観測した導電率をほぼ所望の導電率にする方法において、 前記連続するバッチのウェット処理中の第3の時間間隔において、前記第3の時間間隔のうちで直近の終了した前記第3の時間間隔において除去された前記物質の量に基づいて前記第3の時間間隔のそれぞれにおいて決定される値で前記所望の導電率を変化させることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 642

FI (3件)：

H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/306 J

Fターム (8件)：

5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD24 ,  5F043DD26 ,  5F043DD30 ,  5F043EE23 ,  5F043EE29 ,  5F043GG05