半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087045
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302783
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】スイッチング特性の優れたトランジスタを備えた半導体記憶装置を実現する。【構成】スイッチングトランジスタを容量素子よりも上部に配置し、プレート電極4を三次元的に加工して電荷蓄積容量を増大したことを特徴とする半導体記憶装置である。

請求項（抜粋）：

スイッチングトランジスタと、このスイッチングトランジスタの一方の電極に接続されたビット線と、前記スイッチングトランジスタの他方の電極に接続された電荷蓄積電極と、容量絶縁膜と、基準電位に接続されたプレート電極から成る容量素子とを有し、前記ビット線に前記スイッチング素子を通し、前記基準電位に対し書き込み電位を接続することによって前記容量素子に蓄積される電荷により情報を記憶する半導体記憶装置であって、前記スイッチングトランジスタを前記容量素子よりも上部に配置し、前記プレート電極を三次元的に加工して電荷蓄積容量を増大したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/10 325 L , H01L 27/10 325 G

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