特許

J-GLOBAL ID：200903083998102462

化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 緒方 寿幸 ,  古谷 早苗 ,  木下 洋平 ,  入江 真樹子
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-171174
公開番号（公開出願番号）：特開2008-001767
出願日： 2006年06月21日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】新規な化合物、高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物。下記一般式(II)で表される構成単位(a1)を有する高分子化合物。式(I)、(II)中、R1は水素原子またはメチル基であり;R2,R3はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり;nは0〜3の整数であり、Zは、置換基としてフッ素原子および/またはフッ素化アルキル基を有する炭素数4〜12の脂肪族環式基である。[化1]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表される化合物。

IPC (4件)：

C08F 20/28 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C07C 69/54

FI (4件)：

C08F20/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C07C69/54 Z

Fターム (30件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006BJ30 ,  4H006BP10 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA11Q ,  4J100BB18P ,  4J100BC08P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA25 ,  4J100DA36 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 含フッ素化合物、含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物、それらを用いたレジスト材料とパターン形成方法、及び含フッ素化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045329   出願人：セントラル硝子株式会社