特許
J-GLOBAL ID：200903084001209129
半導体装置の電極形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197764
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029846
出願日： 1993年07月15日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】〔目的〕 半導体装置の表面に電極を形成するための簡易な方法を提供する。〔構成〕 半導体装置(11)の表面に所望の膜厚を有するポジ型の下層レジスト層(12)を形成したのち全面露光を行い(A)、この全面露光後の下層レジスト層(11)上にポジ型又はネガ型の上層レジスト層(13)を形成したのち(B)、選択的露光(C)と現像とを行うことにより、下層側が上層側よりも大きな開口を有する積層構造のレジスト層を形成し(D)、この積層構造のレジスト層をマスクとしてリフトオフ法により電極(配線も含む)(15(a)) を形成する(E,F)。
請求項（抜粋）：
半導体装置の表面に所望の膜厚を有するポジ型の下層レジスト層を形成したのち全面露光を行い、この全面露光後の下層レジスト層上にポジ型又はネガ型の上層レジスト層を形成したのち選択的露光と現像とを行うことにより、下層側が上層側よりも大きな開口を有する積層構造のレジスト層に形成し、この積層構造のレジスト層をマスクとしてリフトオフ法により電極(配線も含む)を形成することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/027
, H01L 21/312
, H01L 21/3205
H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 573
, H01L 21/88 G
