特許

J-GLOBAL ID：200903084002176852

TAB式半導体装置

発明者： 佐藤 尊夫
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259517
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112267
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明はリード数が極めて多く導電パターンが密集したTAB式半導体装置に細な異物によって導電パターン間が短絡したり耐電圧が低下するのを防止したT導体装置の提供を目的とする。【構成】 透孔1bを穿設した絶縁フィルム1上に導電箔を積層しこの導電箔をエッチン孔1b内に延在するインナリード2aを含む導電パターン2を形成したTABテ孔1a位置に配置した半導体ペレット3の電極とインナーリード2aとを電気的たTAB式半導体装置において、上記インナリード2a近傍の絶縁フィルム1上ターン2を樹脂6にて被覆したことを特徴とする。【効果】 本発明によれば、インナリード2aの間隔が狭小で従って密集した導電パター面を樹脂6で被覆したから、この部分に異物が付着しても導電パターン間の短絡低下を防止できる。また異物の発見が容易で、ボンディンクツールの清浄作業の時期を適切に設定できる。

請求項（抜粋）：

透孔を穿設した絶縁フィルム上に導電箔を積層しこの導電箔をエッチングして透孔内に延在するインナリードを含む導電パターンを形成したTABテープの透孔位置に配置した半導体ペレット半導体ペレットの電極とインナーリードとを電気的に接続したTAB式半導体装置において、上記インナリード近傍の絶縁フィルム上の導電パターンを樹脂にて被覆したことを特徴とするTAB式半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-162734
  
• 特開昭58-197757
  
• 特開平2-121344
  
• 特開平4-037145