特許
J-GLOBAL ID：200903084002694624
半導体レーザ素子、それを用いた光ファイバ増幅器用励起光源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-302956
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111135
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 高光出力動作する半導体レーザ素子と、それを用いた光ファイバ増幅器用励起光源を提供する。【解決手段】 井戸層4Aおよび障壁層4Bから成る多重量子井戸構造の活性層4に接合する光閉じ込め層3A,3Bを介してクラッド層2A,2Bが配置されており、かつ、共振器長が800μm以上である半導体レーザ素子において、活性層4を構成する少なくとも1個の井戸層とその井戸層に隣接する少なくとも1個の障壁層には不純物ドープ領域8が形成されており、かつ、光閉じ込め層3A(3B)の厚みが20〜50nmである半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
井戸層および障壁層から成る多重量子井戸構造の活性層に接合する光閉じ込め層を介してクラッド層が配置されており、かつ、共振器長が800μm以上である半導体レーザ素子において、前記活性層を構成する少なくとも1個の井戸層とその井戸層に隣接する少なくとも1個の障壁層には不純物がドーピングされており、かつ、前記光閉じ込め層の厚みが20〜50nmであることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (17件)：
5F073AA22
, 5F073AA46
, 5F073AA67
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA09
, 5F073CA12
, 5F073CB14
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA02
, 5F073EA16
, 5F073EA24
, 5F073FA06
, 5F073FA25
