特許

J-GLOBAL ID：200903084003171137

半導体装置

発明者： 五十嵐 一雅 ,  吉田 司 ,  高士 孝司 ,  長沢 徳 ,  池村 和弘
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330741
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078913
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 半田実装時において樹脂組成物硬化体にクラックが発生し難いという耐熱衝撃性に優れ、さらに低応力性、耐湿性および離型性、そして総合的に信頼性に優れる表面実装型半導体装置を提供する。【構成】 特定のエポキシ樹脂、特定のフェノ-ル樹脂、特定の硬化促進剤、特定のオルガノポリシロキサンおよび無機質充填剤、場合により酸化ポリエチレンワックスを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して半導体装置とする。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(E)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の構造式〔化1〕で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)下記の構造式〔化2〕で表されるフェノ-ル樹脂。【化2】(C)下記の一般式〔化3〕で表される硬化促進剤。【化3】(D)下記の一般式〔化4〕で表されるオルガノポリシロキサン。【化4】(E)無機質充填剤。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/50 NJD ,  C08G 59/62 NJS