特許

J-GLOBAL ID：200903084004176035

キャパシタ及び半導体装置と、これらの製造方法

発明者： 西村 明俊 ,  福田 幸夫 ,  青木 克裕 ,  沼田 乾
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122671
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289295
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ作製時のアライメントの余裕をとる必要をなくし、所定の面積内で大きなキャパシタンス(静電容量)を大きくできるキャパシタと、これを組み込んだ半導体装置、及びこれらの製造方法を提供すること。【解決手段】 白金等のメタル電極81と、この電極に対向するプレート電極としての白金等のメタル電極88と、これらの電極間に設けられた誘電体膜87とを有し、前記各電極が同時に所定パターンに加工されたものであるキャパシタCAPと、これを組み込んだメモリセルM-CEL、及びこれらの製造方法。

請求項（抜粋）：

第1の電極と、この第1の電極と同一材料からなると共にこの第1の電極と所定の間隙を介して対向する第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に設けられた誘電体膜とを有し、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向する面が同時に所定パターンに加工されたものであるキャパシタ。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (5件)：

H01L 27/10 621 B ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651