特許
J-GLOBAL ID:200903084005697071

基板に対する改良された結合性を有する金属箔およびその金属箔の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-217743
公開番号(公開出願番号):特開2000-054183
出願日: 1998年07月31日
公開日(公表日): 2000年02月22日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、高い剥離強度を示し、積層体中に組み入れられた場合に処理転移がわずかであるか、あるいは処理転移しない金属箔を提供することが可能となる。本発明は、廃溶液が比較的低濃度の錯形成金属イオンを含むため、処理性が改良された廃棄物を発生する方法および箔を提供する。【解決手段】 1つの実施態様において、本発明は金属箔の処理方法に関する。この方法は金属箔を酸性溶液に接触させる工程;この金属箔をニッケル処理浴中に配置し、そしてこのニッケル処理浴を通じて電流を印加する工程であって、ここでニッケル処理浴が少なくとも約2つのメッキ領域、約1〜約50g/lのアンモニウム塩、および約10〜約100g/lのニッケル化合物を含む、工程;および金属箔にニッケルフラッシュ層を施工する工程を順次包含する。他の実施態様において、本発明は、上記本発明の方法に従って処理された金属箔に関する。
請求項(抜粋):
金属箔の処理方法であって、金属箔を酸性溶液に接触させる工程;該金属箔をニッケル処理浴中に配置し、そして該ニッケル処理浴を通じて電流を印加する工程であって、ここで該ニッケル処理浴が少なくとも約2つのメッキ領域、約1〜約50g/lのアンモニウム塩、および約10〜約100g/lのニッケル化合物を含む、工程;および該金属箔にニッケルフラッシュ層を施工する工程を順次包含する、方法。
IPC (4件):
C25D 3/12 ,  C25D 7/06 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/38
FI (4件):
C25D 3/12 ,  C25D 7/06 Z ,  H05K 3/00 R ,  H05K 3/38 B
Fターム (47件):
4K023AA12 ,  4K023BA06 ,  4K023BA07 ,  4K023BA08 ,  4K023BA09 ,  4K023BA21 ,  4K023BA29 ,  4K023CA09 ,  4K023DA03 ,  4K023DA06 ,  4K023DA07 ,  4K024AA03 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB04 ,  4K024BA06 ,  4K024BA09 ,  4K024BB11 ,  4K024BC02 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA03 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024DA03 ,  4K024GA01 ,  5E343AA15 ,  5E343AA16 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343BB04 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB34 ,  5E343BB44 ,  5E343BB55 ,  5E343BB67 ,  5E343CC33 ,  5E343CC34 ,  5E343CC46 ,  5E343CC78 ,  5E343DD43 ,  5E343GG01 ,  5E343GG20
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭54-048645
  • 特開昭54-091766
  • 特開昭54-048645
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