特許
J-GLOBAL ID：200903084006099038
受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243625
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097597
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】レーザ光出力を正確にモニタできる受光素子付き面発光型半導体レーザ装置を提供すること。【構成】n型InP半導体基板2上に形成されたn型半導体多層膜反射鏡3と、このn型半導体多層膜反射鏡3に形成された活性層6と、この活性層6上に形成されたp型半導体多層膜反射鏡9と、このp型半導体多層膜反射鏡9に活性層6と同心的に形成されると共に、中心部に活性層6の幅より狭い開口部を有し、且つ活性層6の出射光のうち2次以上の共振モードの自然放出光が入射されない幅を有すPINフォトダイオード24とを備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の反射鏡と、この第1の反射鏡上に形成された活性層と、この活性層上に形成された第2の反射鏡と、この第2の反射鏡上に前記活性層と同心的に形成されると共に、中心部に前記活性層の幅より狭い開口部を有し、且つ前記活性層の出射光のうち2次以上の共振モードの自然放出光が入射されない幅を有する受光素子とを具備してなることを特徴とする受光素子付き面発光型半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 27/15
, H01L 31/12
