特許

J-GLOBAL ID：200903084011564407

単層カーボンナノチューブの精製方法

発明者： 後藤 肇 ,  古田 照実 ,  藤原 良也 ,  大橋 俊之
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 辰彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111879
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081616
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】金属触媒を除去して高純度の単層カーボンナノチューブを得ることができる精製方法を提供する。【解決手段】金属触媒2を用いて製造された単層カーボンナノチューブ1を酸化処理する第1の酸化処理工程と、単層カーボンナノチューブ1を酸溶液中で還流処理する第1の還流処理工程と、単層カーボンナノチューブ1を再度酸化処理する第2の酸化処理工程と、単層カーボンナノチューブ1を再度酸溶液中で還流処理する第2の還流処理工程とを備える。単層ナノチューブ1は、金属触媒2を含む炭素電極を用いアーク放電により合成される。炭素電極は、Ni,Y,Tiからなる金属触媒を含む。第1の酸化処理工程は、350〜600°Cの範囲の温度で加熱するか、過酸化水素水中で湿式酸化処理する。第1の還流処理工程は、硝酸中で還流処理する。第2の酸化処理は過酸化水素水中で湿式酸化処理する。第2の還流処理工程は、塩酸中で還流処理する。

請求項（抜粋）：

金属触媒を用いて製造された単層カーボンナノチューブの精製方法において、不純物を含む単層カーボンナノチューブを酸化処理する第1の酸化処理工程と、該第1の酸化処理が施された単層カーボンナノチューブを酸溶液中で還流処理する第1の還流処理工程と、該第1の還流処理が施された単層カーボンナノチューブを再度酸化処理する第2の酸化処理工程と、該第2の酸化処理が施された単層カーボンナノチューブを再度酸溶液中で還流処理する第2の還流処理工程とを備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブの精製方法。

Fターム (7件)：

4G146AA12 ,  4G146CA02 ,  4G146CA03 ,  4G146CB12 ,  4G146CB26 ,  4G146CB32 ,  4G146CB37