特許

J-GLOBAL ID：200903084012850322

面発光素子の製造方法

発明者： 梶田 幹浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171659
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008413
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 面発光素子の熱特性を改善するために利得オフセットの方法を採用した場合に、そのオフセット量を常に最適な量に設定できるための面発光素子の製造方法を提供する。とにある。【構成】 二つの多層膜反射鏡3,7で構成された共振器間に設けられる活性層5の結晶成長時に通常の成長基板温度よりも低温の基板温度で成長を行ない、成長後に共振ピークと利得ピークの情報を得て、この情報から利得ピークと共振ピークの間のオフセット量が所望の温度特性となるように素子を所定の温度で熱処理する。活性層を低温で成長するために不可避な膜厚分布やフラックスふらつき等による利得オフセット量の設計値からのずれを回避でき、その後に熱処理により利得オフセット量を設定しているため、常に最適なオフセット量に設定できる。

請求項（抜粋）：

二つの多層膜反射鏡で構成された共振器と、前記各多層膜反射鏡で挟まれた活性層とを含む面発光素子の製造方法において、前記活性層の結晶成長時に通常の成長基板温度よりも低温の基板温度で成長を行う工程と、成長後に共振ピークと利得ピークの情報を得る工程と、得られた情報から利得ピークと共振ピークの間のオフセット量が所望の温度特性となるように素子を所定の温度で熱処理する工程とを含むことを特徴とする面発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/105

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/105