特許
J-GLOBAL ID:200903084013022571

表面異物検査装置用校正試料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-145637
公開番号(公開出願番号):特開平5-340884
出願日: 1992年06月05日
公開日(公表日): 1993年12月24日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程の歩留りに大きな影響を有する微粒子形状の異物の表面異物検査装置用校正試料及び試料作成方法に関し、製造工程において成長させるCVD膜と同様な光学的性質を有する薄膜とシリコン基板の間にPSL粒子が存在する表面異物検査装置用校正試料及び試料作成方法の提供を目的とする。【構成】 粒子径の寸法が略同一で、形状が真球の粒子2を、電子デバイスの製造工程において形成する膜と同様な光学的性質を有する物質3の薄膜にて被覆し、試料基板1の表面に固着するように構成する。
請求項(抜粋):
粒子径の寸法が略同一で、形状が真球の粒子(2) を、電子デバイスの製造工程において形成する膜と同様な光学的性質を有する物質(3) の薄膜にて被覆し、試料基板(1) の表面に固着したことを特徴とする表面異物検査装置用校正試料。
IPC (2件):
G01N 21/88 ,  H01L 21/66

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