特許

J-GLOBAL ID：200903084013588079

GaN系半導体装置

発明者： 尺田 幸男
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-155399
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302314
出願日： 2008年06月13日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

【課題】GaN系発光素子又はGaN系受光素子が2次元状に多数形成された半導体装置で、ZnO膜を用いたときに装置全体の電流-電圧特性を改善することができるGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】成長用基板1上に選択成長用マスク11が形成され、選択成長用マスク11の一部が除去された領域にAlNバッファ層2が形成される。AlNバッファ層2上には、アンドープGaN層3、n型GaN層4、活性層5、p型GaN層6が順に積層され、素子間を分離する分離溝Aが形成される。受光面側又は光取り出し面側にp型GaN層6に接してZnO膜8が形成され、半導体素子は受光面側又は光取り出し面側から見た大きさが200μm×200μm以下に作製されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にGaN系発光素子又はGaN系受光素子となる半導体素子が2次元状に複数形成されたGaN系半導体装置であって、 前記半導体素子の受光面側又は光取り出し面側にp型GaN系半導体層に接してZnO膜が形成され、受光面側又は光取り出し面側から見た前記半導体素子の大きさが200μm×200μm以下に形成されていることを特徴とするGaN系半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L31/10 A

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB25 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049RA02 ,  5F049SS04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-249957   出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
• 特許第3720341号公報