特許
J-GLOBAL ID：200903084016860047
半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246619
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097449
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 電流効率を高めた半導体装置(U字型MOSFET)を提供する。【構成】 本発明のU字型MOSFETは、ドレインとして機能する第1導電型の半導体基板1と、その基板1上に形成されたエピタキシャル層3と、そのエピタキシャル層3の表面に形成された第2導電型の第1拡散層4と、その第1拡散層4の表面に形成され、ソースとして機能する、第1導電型の第2拡散層7と、前記第1及び第2拡散層4,7を貫通し、前記エピタキシャル層3に達する第1トレンチ5と、その第1トレンチ5内に形成され、ゲートとして機能する導電層と、前記基板1から前記エピタキシャル層3に延びる第1導電型の埋め込み層2と、前記エピタキシャル層3の表面から前記埋め込み層2に向けて延び、底部が前記埋め込み層に達し、且つ前記第1拡散層の最外縁部を囲む、枠状の第2トレンチ11と、を備えるものとして構成される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記基板の表面に枠状に形成された第1導電型の埋め込み層と、その基板上に形成されたエピタキシャル層と、そのエピタキシャル層の表面に形成された第2導電型の第1拡散層と、前記エピタキシャル層の表面から前記埋め込み層に向けて延び、底部が前記埋め込み層に達し、且つ前記第1拡散層の最外縁部を囲む、枠状の第2トレンチと、を備える、半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
