特許

J-GLOBAL ID：200903084018066437

半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及び膜を形成する方法

発明者： 松 木 信 雄
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320069
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134502
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】低い比誘電率、高い耐熱性、高い耐吸湿性及び高い密着性を有する絶縁膜を形成するための材料及び方法を与える。【解決手段】半導体基板上に低比誘電率、高い耐熱性及び高い耐吸湿性を有するシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法がプラズマCVD装置に適応される。第1工程は一般式SiαOβCxHy(α=3、β=3若しくは4、x及びyは整数)によって表現されるシリコン系炭化水素化合物を気化しその後気化された化合物をプラズマCVD装置の反応チャンバ内に導入することである。次の工程は添加ガスを反応チャンバ内に導入することである。材料ガスの滞留時間は、低比誘電率を伴う連続多孔質構造を有するシリコン重合体膜を形成するような方法で、反応ガスの総流量を減少させることによって延長される。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理によって半導体基板上にシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法であって、半導体基板が配置されるところのプラズマCVD処理用反応チャンバ内へ以下の化学式を有するシリコン系炭化水素から成る材料ガスを導入する工程であって、【化1】ここでn及びmはあらゆる整数であり、R1からR7は炭化水素であるところの工程と、シリコン重合体膜の比誘電率が予め選択された値より低くなるまで、反応チャンバ内の反応ガスの滞留時間を延長するべく反応ガスの流量を制御することによって、半導体基板上に低比誘電率を有するシリコン重合体膜を形成するよう反応チャンバ内のプラズマ重合反応を活性化する工程と、から成る方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 14/00 Z ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/312 C

Fターム (39件)：

4K029AA06 ,  4K029BA62 ,  4K029BA64 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA12 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EE03 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F058AA01 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ02