特許
J-GLOBAL ID：200903084020020304
誘電体セラミツク素子の電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199965
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048313
出願日： 1991年07月14日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 誘電体セラミック素子において、高温高湿度下においても高いQ値が持続するように電極を形成すると共に、そのような電極を容易な製造工程で得られるようにする。【構成】 誘電体セラミック上に無電解銅メッキにより銅層を形成し、その上にニッケルなどの耐食性金属層を形成し、次いで温度60〜600°Cで熱処理をすることにより誘電体セラミック素子の電極を形成する。
請求項（抜粋）：
誘電体セラミック上に無電解銅メッキにより銅層を形成し、その上に耐食性金属層を形成し、次いで温度60〜600°Cで熱処理をすることを特徴とする誘電体セラミック素子の電極形成方法。
IPC (4件)：
H01P 11/00
, C23C 18/38
, C23C 28/00
, H01P 7/04
