特許
J-GLOBAL ID：200903084021772350
電磁波発生装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-051737
公開番号（公開出願番号）：特開2006-235381
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 0.1THzから10THzの範囲の狭線幅の電磁波を高効率に高出力で発生させることを可能とする電磁波発生装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 化合物半導体擬似位相整合素子100は、同じ組成を有する化合物半導体101、102を有する。化合物半導体101、102は互いに接合して接合体を形成する。この接合体は、化合物半導体101、102の結晶の空間対称性が反転する光学軸に垂直な面を前記接合により形成された接合面として、空間対称性が反転する光学軸方向に対して互いに反平行な方位反転周期を有する方位反転構造である。この方位反転周期は、π/Δkの自然数倍である(ν1、ν2;入射する2波長光の周波数、ν3;0.1〜10THzの発生電磁波の周波数、n1、n2、n3;周波数ν1、ν2、ν3における非線形材料の屈折率、c;光速、Δk=2π/c×(n1・ν1-n2・ν2-n3・ν3))。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
周波数差が0.1〜10GHzに設定された2波長光が入射すると、該2波長光による差周波発生により0.1〜10THzの電磁波を発生させる擬似位相整合型の波長変換素子を有する電磁波発生装置において、
前記波長変換素子は、同じ組成を有する、III-V 族またはII-VI 族化合物半導体である非線形材料からなる第1の化合物半導体および第2の化合物半導体を有し、
該第1および第2の化合物半導体は互いに接合されて接合体を形成し、
該接合体は、前記第1および第2の化合物半導体の結晶の空間対称性が反転する光学軸に垂直な面を前記接合により形成された接合面として、前記空間対称性が反転する光学軸方向に対して互いに反平行な方位反転周期を有する方位反転構造であり、
ν1、ν2を入射する前記2波長光の周波数とし、ν3を前記0.1〜10THzの発生電磁波の周波数とし、n1、n2、n3をそれぞれ周波数ν1、ν2、ν3における前記非線形材料の屈折率とし、cを光速とし、Δk=2π/c×(n1・ν1-n2・ν2-n3・ν3)とすると、前記方位反転周期はπ/Δkの自然数倍であることを特徴とする電磁波発生装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2K002AA04
, 2K002AB12
, 2K002CA13
, 2K002DA02
, 2K002HA13
