特許

J-GLOBAL ID：200903084031664114

薄膜半導体の製造装置

発明者： 吉田 隆 ,  高野 章弘
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060274
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260715
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 フィルム基板のたるみや縦皺の発生問題を解消し、高品質,高効率,高メンテナンス性の薄膜半導体製造装置を提供する。【解決手段】 反応室内に鉛直に配置された複数の高周波印加電極4と、対向配置された接地電極33と、ヒータ31と、フィルム基板10に所定の張力をかけてこの基板を搬送するための各種ロールからなる搬送手段6,8とを備えた薄膜半導体の製造装置において、前記搬送手段は、フィルム基板10が接地電極33に隣接して進行するような位置関係を維持するものとなし、かつ接地電極33は、フィルム基板10をこの接地電極5に面接触させるように,フィルム基板10と接地電極33との距離を微調整するための位置調整手段32を備えたものとする。

請求項（抜粋）：

帯状可撓性のフィルム基板の面上に複数の異なる性質の薄膜を積層して薄膜半導体を形成するための少なくとも一つの反応室と、前記反応室へ薄膜に応じた反応ガスを供給するガス供給系と、前記反応室の圧力を制御しながらガスを排気する排気系と、前記反応室内にほぼ鉛直に配置された複数の高周波印加電極と、この高周波印加電極と対向する位置に配置された複数の接地電極と、前記フィルム基板加熱用のヒータと、前記接地電極と高周波印加電極との間を前記両電極の主面と略平行にフィルム基板を進行させ,かつフィルム基板に所定の張力をかけるための搬送手段と、前記フィルム基板巻出し用アンワインダー室と、フィルム基板巻取り用ワインダー室とを備えた薄膜半導体の製造装置において、前記搬送手段は、前記フィルム基板が接地電極に隣接して進行するような位置関係を維持するものとなし、かつ前記接地電極は、前記フィルム基板をこの接地電極に面接触させるように,フィルム基板と接地電極との距離を微調整するための位置調整手段を備えたことを特徴とする薄膜半導体の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 T

Fターム (17件)：

5F045AF07 ,  5F045CA13 ,  5F045DP22 ,  5F045EB02 ,  5F045EH13 ,  5F045EM01 ,  5F045EM07 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051BA15 ,  5F051CA16 ,  5F051CA22 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24 ,  5F051GA05