トランジスター及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336475
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181374
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】トランジスターの磁界感度を上げる。低電流で動作させる。スピントランジスターを作製する際必要である、Si/金属人工格子/Siのショットキー接合を容易に安定に形成する。【解決手段】ベースの人工格子膜4aにスピンバルブ型人工格子膜を用いる。それによって磁界感度を上昇させる。または、ベースの人工格子膜に、強磁性トンネル接合型磁気抵抗効果膜を用いる。そうすることにより低電流動作が可能になる。Si基板上にエピタキシャルに金属人工格子膜を作製し、更にそれにエピタキシャルにSi膜を形成する。そうすることにより、容易に、安定した接合界面を作製することができる。

請求項（抜粋）：

第1の金属電極の上に、コレクターとして第1のSi単結晶、ベースとしてスピンバルブ型磁気抵抗効果膜、エミッターとして第2のSi単結晶、第2の金属電極が順次積層された構成であり、前記第1と第2のSi単結晶と前記スピンバルブ型磁気抵抗効果膜の間で、ショットキー型障壁が形成されていることを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01L 29/68 , H01L 43/10

FI (3件)：

H01L 43/08 Z , H01L 29/68 , H01L 43/10

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