特許

J-GLOBAL ID：200903084033153621

超臨界処理方法及び装置

発明者： 生津 英夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169843
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335988
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】基板の上に形成されたnmオーダの微細なパターン間に残る有機物を、従来に比較してより迅速により確実に除去できるようにする。【解決手段】シリコン基板101を所定の高圧容器の中に収容し、また、高圧容器の中に2-プロパノールを充填し、シリコン基板101が2-プロパノール液104に浸漬した状態とする。つぎに、高圧容器の内部の温度を235°Cに上昇させ、高圧容器に充填されている2-プロパノールを超臨界状態とし、シリコン基板101が、2-プロパノールが超臨界状態となった超臨界溶媒105に浸漬した状態とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機物質からなるレジストパターンが形成された基板を反応室内に配置する第1の工程と、 前記反応室内に極性を有する物質の液体もしくは気体のいずれかを充填して加熱し、前記反応室内が超臨界状態となった前記極性を有する物質で充填された状態とする第2の工程と を少なくとも備えたことを特徴とする超臨界処理方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

FI (3件)：

H01L21/30 572B ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 647Z

Fターム (8件)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA05