特許

J-GLOBAL ID：200903084034088165

SOI基板

発明者： 山口 好広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220354
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074328
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【構成】 SOI層となる第一の半導体基板(1) と支持基板となる第二の半導体基板(2) を清浄な雰囲気下で密着させることで直接接合する。このときSOI層となる第一の半導体基板(2) の酸化膜に溝(4) を形成しておく。【効果】 溝の形成によりSOI基板の反りを低減することがかできる。

請求項（抜粋）：

素子が形成されるSOI層と支持基板とが絶縁体層を介して直接接合されてなるSOI基板において、前記絶縁体層に溝が形成されていることを特徴とするSOI基板。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02